FJG RAM

FJG RAM , förkortning för Floating Junction Gate Random Access Memory , är en typ av datorminne som uppfunnits av Oriental Semiconductor Co., Ltd.

FJG RAM har en ultrakompakt cellarea på 4F ² (F hänvisar till funktionsstorlek) och en kondensatorlös cellkonfiguration. Den är gjord utan exotiska processsteg, material eller nya processverktyg, och processen för att göra enheten är tillgänglig från alla befintliga DRAM -fabriker . På grund av frånvaron av en kondensator är FJG-cellprocessen mer kompatibel med logiska processer, vilket gör att den inte bara kan användas i fristående DRAM-applikationer utan även i inbäddade DRAM-applikationer. Andra egenskaper inkluderar icke-förstörande läsning och möjligheten för DRAM-designers att använda delade avkänningsförstärkare för att minska komplexiteten hos periferikretsar.

I april 2016 fanns det få bevis för pågående utveckling eller kommersialisering på kort sikt.

externa länkar

• Oriental Semiconductors webbsida