RF mikroenheter

RF Micro Devices, Inc.
Typ Aktiebolag
Nasdaq : RFMD
Industri Halvledarkomponenter
Grundad 1991 ; 32 år sedan ( 1991 )
Nedlagd 2 januari 2015 ( 2015-01-02 )
Öde Sammanslagna med TriQuint Semiconductor
Efterträdare Qorvo
Huvudkontor Greensboro, North Carolina , USA
Område som betjänas
 Över hela världen
Nyckelpersoner
 Robert A. Bruggeworth (president och verkställande direktör)
Märken PowerStar, PowerSmart, Polaris Total Radio
Inkomst
Totala tillgångar
Totalt kapital
Antal anställda
 3 500 (2014)
Hemsida rfmd .com
Fotnoter/referenser

RF Micro Devices (även känd som RFMD eller RF Micro ), var ett amerikanskt företag som designade och tillverkade högpresterande radiofrekvenssystem och lösningar för applikationer som driver trådlös och bredbandskommunikation. Med huvudkontor i Greensboro, North Carolina , handlas RFMD på NASDAQ under symbolen RFMD. Företaget grundades i Greensboro, North Carolina, 1991. RF Micro har 3500 anställda, varav 1500 i Guilford County, North Carolina .

Företagets produkter, huvudsakligen radiofrekvensintegrerade kretsar (RFIC) och paketerade moduler som använder dem, användes i mobilnät och mobiltelefoner , för trådlös anslutning som trådlöst LAN , GPS och Bluetooth , i kabelmodem och kabel-TV- infrastruktur, och för andra applikationer inklusive militär radar. De viktigaste applikationerna när det gäller försäljning var GaAs -baserade effektförstärkare och antennkontrolllösningar som används i mobiltelefoner (inklusive smartphones ), WiFi RF front-ends och komponenter som används i trådlös infrastrukturutrustning .

Företaget meddelade i februari 2014 att det skulle gå samman med TriQuint Semiconductor . Den 2 januari 2015 meddelade RFMD och Triquint gemensamt att de hade slutfört sin sammanslagning av jämlikar för att bilda Qorvo ( Nasdaq : QRVO ), och att Qorvo skulle börja handla på NASDAQ Global Stock Market från och med den dagen.

Företagshistoria

Tidig historia

First logo, used from 1991 until the mid-2000s
Första logotypen, använd från 1991 till mitten av 2000-talet

Företaget grundades 1991 i Greensboro, North Carolina av William J. Pratt, Powell T. Seymour och Jerry D. Neal, som alla var tidigare anställda på Analog Devices . Från början var det fokuserat på att designa RFIC- produkter för den kommersiella trådlösa marknaden.

1992 licensierade RFMD GaAs HBT (gallium arsenide heterojunction bipolar transistor)-teknologi från rymd- och försvarsentreprenören TRW Inc. Från 1993 tills RFMD byggde sin egen halvledarfabrik 1998 använde man TRW som kontraktstillverkare medan TRW förvärvade en ägarandel på 10 % i företaget. GaAs HBT växte fram som en ledande teknik för högpresterande RF-applikationer, såsom effektförstärkare och små signalenheter som används i mobiltelefoner .

RFMD levererade till en början IC:er för Qualcomms digitala mobiltelefoner och hade 1998 fått Samsung , Nokia och LG som kunder, eftersom produktionen fortsatte att öka. I slutet av räkenskapsåret 1997 hade företaget 133 anställda och intäkter på 29 miljoner dollar.

IPO och framträdande

Bolagets börsintroduktion på NASDAQ - börsen skedde den 3 juni 1997 under symbolen RFMD. Vid tidpunkten för börsintroduktionen var företaget en pionjär och ledare inom användningen av GaAs HBT-processteknik för kommersiella trådlösa applikationer, vilket hade fördelar i energieffektivitet, linjäritet, komplexitet och storlek, samtidigt som det hade expertis inom äldre GaAs MESFET och silicon polar transistorprocessteknik.

För att stärka sin position inom kiselbaserade produkter ingick RFMD ett avtal med IBM om att använda dess Blue Logic kiselprocessteknologi och fick 1999 tillgång till IBM:s kiselgermaniumgjuteritjänster .

Efter att konstruktionen av företagets egna tillverkningsanläggningar slutförts 1998, mer än tredubblades intäkterna för räkenskapsåret 1999 som slutade den 27 mars till 153 miljoner USD, med en nettovinst på 20 miljoner USD. RFMD:s aktiekurs steg till en topp på cirka 95 USD i mars 1999, och aktien splittrades flera gånger. Efter ett leveransavtal med Nokia , vid den tiden världens största mobiltelefontillverkare, bestod försäljningen till Nokia av 59 % av företagets intäkter under räkenskapsåret 2000. Nokia fortsatte att vara RFMD:s största kund under flera år fram till 2011.

Den 3 mars 2000 nådde slutkursen för RFMD:s aktie sin högsta nivå på 175 USD (87,5 USD justerat för efterföljande aktiesplit), vilket motsvarar ett börsvärde på cirka 15 miljarder USD, baserat på 86 miljoner utestående aktier. RFMD var medlem i NASDAQ-100 -indexet från 1999 till 2003. Efter att ha nått sin topp under teknikbubblan, sjönk aktiekursen avsevärt och förblev under 10 USD fram till 2014.

Utveckling av Polaris transceiverteknologi

År 2002 tillkännagav RFMD Polaris (Polaris Total Radio transceiver ), en lösning med tre IC riktad mot GSM/GPRS/ EDGE -mobiltelefonarkitekturer. Genom att lägga till transceiverteknologi försökte företaget öka sitt innehåll i GSM/GPRS/EDGE-telefoner.

Polaris-kretsuppsättningar designades till mobiltelefoner från Motorola och bidrog avsevärt till intäktsökningen 2005. RFMD startade stora volymsändningar av Polaris 3 (ett helt integrerat fyrbands EDGE RF front-end) till Nokia under 2007. Men som Motorola-telefon Försäljningen försvagades under 2007, och en strategisk förändring mot ett basband/sändtagare med ett chip och bort från RFMD:s Polaris-sändtagare var uppenbart hos kunder som Motorola, RFMD:s Polaris-verksamhet började se utmaningar.

I maj 2008, efter avsevärt minskade förväntningar på transceiverintäkter hos RFMD:s största POLARIS 2-kund, meddelade RFMD att de skulle eliminera alla produktutvecklingskostnader relaterade till trådlösa system, inklusive mobilsändtagare och GPS, även om det skulle fortsätta att stödja nuvarande produkter. I juni 2008 tillkännagav det att dess Polaris-lösningar, inklusive den senaste Polaris 3 som fortfarande höll på att öka, fortsatte att designas till nya telefoner och sa att dess Polaris 2 hade skickat 100 miljoner enheter. Man förväntade sig att försäljningen av sina Polaris RF-lösningar skulle fortsätta fram till kalenderåret 2011.

Annan utveckling

2001 startade RFMD driften av en monterings- och testanläggning i Peking , Kina . Anläggningen utökades flera gånger. Under 2008 överförde RFMD all testning av cellulära produkter med hög volym till anläggningen.

RFMD har varit en pionjär inom utveckling av GaN (galliumnitrid) -baserade produkter för militära och kommersiella tillämpningar. Sedan 2004 har företaget tilldelats GaN FoU-kontrakt från den amerikanska regeringen. Under 2013 introducerades produkter riktade till kabel-TV- infrastruktur. Under 2014 tillkännagav den kontrakt relaterade till militära tillämpningar och kraftnät . RFMD driver ett öppet gjuteri som erbjuder GaN-halvledarteknologi (liksom väletablerad GaAs- teknologi) till tredje part.

Förvärv och sammanslagningar

I början av 2001 köpte RFMD RF Nitro Communications (RF Nitro) som grundades i Charlotte, NC av Dr. James Shealy 2000 med hjälp av teknologi licensierad från Cornell för att producera på 100 mm (4 tum) wafers, avancerade bredbandiga halvledarmaterial och RFIC produkter ( InGaP HBT, GaAs PHEMT och GaN HEMT på både kiselkarbid- och safirsubstrat) vanligtvis implementerade i laserdioder som ytterligare införlivades i trådlösa bredbands- och fiberoptiska slutprodukter. En anmärkningsvärd fördel vid den tiden med den Cornell-licensierade teknologin var förmågan att uppnå höga halvledartillväxthastigheter vid låga temperaturer.

I slutet av 2007 köpte RFMD en annan tillverkare av RF-komponenter, Sirenza Microdevices, vilket förväntades göra det möjligt för RFMD att dra nytta av sin RF-integration och designexpertis på systemnivå från cellulära applikationer och tillämpa dessa möjligheter över Sirenzas breda fotavtryck på flera högväxande RF-marknader , inklusive bredband/CATV, trådlös infrastruktur, WiMAX och flyg och försvar. I december 2007 tillkännagav man förvärvet av Filtronic Compound Semiconductor Ltd, som hade varit en stor brittisk leverantör av GaAs pHEMT -halvledare till RFMD, och sålde därefter den brittiska anläggningen till Compound Photonics 2013. I november 2012 förvärvade RFMD Los Gatos, Kalifornien -baserade Amalfi Semiconductor kommer in på marknaden för CMOS- effektförstärkare (PA).

I februari 2014 meddelade RFMD att de skulle gå samman med TriQuint Semiconductor . Den 15 april 2014 meddelade de två företagen att holdingbolaget för både RF Micro och TriQuint skulle heta Rocky Holding Inc., med båda företagen betraktade som dotterbolag. Varje bolags aktieägare skulle äga 50 procent av aktierna. Rocky Holding kommer att handla på NASDAQ, och RF Micros Robert Bruggeworth kommer att vara VD och koncernchef, medan TriQuints Ralph Quinsey kommer att vara ordförande. Affären beräknades slutföras under andra halvåret, varefter företagen kommer att genomföra en en-för-fyra omvänd aktiesplit vilket resulterar i 145 miljoner utestående aktier.

Den 2 januari 2015 meddelade RFMD och Triquint gemensamt att de hade slutfört sin sammanslagning av jämlikar för att bilda Qorvo ( NASDAQ : QRVO), och att Qorvo skulle börja handla på NASDAQ Global Stock Market från och med den dagen.

Marknader och konkurrenter

GaAs-baserade RFIC:er

Medan gjuterimodellen har kommit till framträdande plats för tillverkning av CMOS logiska integrerade kretsar , har tillverkningen av GaAs IC:er till stor del förblivit i händerna på vertikalt integrerade företag som RFMD som både designar IC:n och tillverkar den vid sina egna tillverkningsanläggningar med hjälp av en egen process teknologi. Detta riskerar sådana företag att underutnyttja sin tillverkningskapacitet när efterfrågan sjunker, vilket ofta har påverkat RFMD och påverkat dess lönsamhet. På senare tid har RFMD faktiskt börjat erbjuda gjuteritjänster för att tillverka GaAs-baserade produkter designade av tredje part. Den största oberoende GaAs-gjuterikonkurrenten, Taiwanbaserade WIN Semiconductor, har sett blandade resultat.

Vertikalt integrerade konkurrenter på marknaden för GaAs -baserade RFIC: er för trådlösa applikationer som mobiltelefoner , trådlös infrastruktur och trådlöst LAN inkluderar Skyworks Solutions , Avago , ANADIGICS, Murata och TriQuint Semiconductor , som RFMD har tecknat ett fusionsavtal med.

Trots att marknaden för trådlösa GaAs-enheter har fortsatt att växa de senaste åren har RFMD sett blandade resultat. Konkurrenterna Skyworks och Avago har sett sina GaAs-intäkter öka konsekvent, medan RFMD upplevde lägre försäljning 2011 och 2012 och tappade marknadsandelar. RFMD:s marknadsandel för GaAs-enheter minskade från 20 % 2008 (när den var #1) till 12,4 % 2011 och sjönk ytterligare 2012 innan en återhämtning 2013/2014. För andra kvartalet 2014 rapporterade RFMD en stark sekventiell tillväxt och nådde rekordhöga kvartalsintäkter på 316 miljoner USD och förbättrad lönsamhet, samtidigt som den förutspådde ytterligare tillväxt för tredje kvartalet 2014.

RFMD:s Polaris-kretsuppsättningar, som såldes från 2004 till 2011, var anpassade till vissa etablerade men minskande basbandsarkitekturer, inklusive Freescale och konkurrerade i huvudsak med RF-sändtagarelösningar från växande mobiltelefonbasband/applikationsprocessorföretag Qualcomm och MediaTek , som snabbt blev dominerande och använde sina egna RF-transceiverlösningar som en del av deras referensdesign tillsammans med basbandet/applikationsprocessorn, med front-end/PA-komponentsocklarna fortfarande öppna för GaAs-chiptillverkare. Den efterföljande framgången för företag som Skyworks , TriQuint och Avago med att fånga front-end/PA-sockets på dessa branschledande referensdesigner har noterats.

Byt till CMOS-baserade RFIC:er

RF3161 (Quad band effektförstärkarmodul)

Eftersom CMOS -kiselbaserade RFIC:er för trådlösa applikationer som mobiltelefoner gradvis har blivit mer konkurrenskraftiga (men fortfarande sämre) när det gäller prestanda jämfört med GaAs (samtidigt som de ger fördelar relaterade till kostnad och chipintegration), har de delvis ersatt GaAs-produkter. av low-end (2G) effektförstärkarmarknaden i början av 2014. Silicon on isolator -teknologi har redan till stor del ersatt GaAs för antennväxlingsapplikationer, och RFMD har varit en del av denna övergång. Vid olika tillfällen i det förflutna har företag haft starka förväntningar på CMOS-baserade RFIC:er såsom effektförstärkare som inte lyckades förverkligas. Qualcomm , den dominerande leverantören av kiselchipinnehåll i mobiltelefoner, har dock gjort betydande investeringar inom detta område och rapporterade volymleveranser av en 3G / 4G front-end-lösning med CMOS-baserad effektförstärkarteknik i februari 2014.

Spridningen av CMOS-baserade lösningar ökar konkurrensen från CMOS RF-företag som Peregrine Semiconductor samt mobiltelefon SoC och chipsetleverantörer som Qualcomm och andra, och har potential att avsevärt minska den adresserbara marknaden för GaAs-baserade enheter. Företag som traditionellt fokuserat på GaAs, inklusive RFMD, använder dock redan kisel-på-isolator- teknik (SOI) för switchar och har även investerat i CMOS-teknik för effektförstärkare. RFMD tillkännagav leverans av materialvolymer av CMOS PA i september 2013.

Extern länk

Hämtad från " https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=RF_Micro_Devices&oldid=1118446403 "